تکنولوژی ساخت پیل های خورشیدی

نوشته شده توسط:اشکان کریوند در مهندسی برق قدرت » مقالات و پروژه‎ها | ۰۱ تیر ۱۳۹۳ - ۱۶:۳۹ | ۲ دیدگاه

تکنولوژی ساخت پیل های خورشیدی :

نیمه هادی ها از نظر مشخصات جذب فوتون به دو گروه نیمه هادی مستقیم و نیمه هادی غیرمستقیم، تقسیم می شوند. در نیمه هادی های مستقیم ضریب جذب به سرعت افزوده می شود بطور مثال در GaAs و CdTz ضریب جذب از مقدار کوچک به افزایش می یابد

و در نیم هادی غیر مستقیم نظیر Gapو Si این افزایش به کندی صورت می گیرد. مناسب ترین نیمه هادی برای سلولهای فتوولتایی، نوار مستقیم است که ضخامت مورد نیاز برای جذب فوتونهایی با انرژی بیشتر از انرژی شکاف Eg، کمتر است. به همین دلیل در سلولهای سیلسیومی خورشیدی راندمان تبدیل 18% و در برخی از مدلهای آزمایشگاهی تا بازده 24% نیز گزارش شده است . سیلسیوم پلی کریستال و آمورف راندمان کمتری دارند که به ترتیب بازده 10% و 5-6% را دارند .

ادامه ی مطلب ...

برای دسترسی به ادامه ی مطلب، باید عضو سایت بشوید. اگر قبلا در سایت عضو شده اید، برای ورود به سایت اینجا کلیک کنید.

نظرات
ارسال نظر

manicure
- ۱۳۹۶/۰۱/۱۹ - ۱۵:۴۳:۰۸
I'm really loving the theme/design of your blog. Do you
ever run into any web browser compatibility issues? A few of my blog audience have complained about my website not operating
correctly in Explorer but looks great in Firefox.
Do you have any tips to help fix this issue?
manicure
- ۱۳۹۶/۰۲/۱۶ - ۰۶:۲۵:۳۴
Simply wish to say your article is as amazing.

The clearness in your post is just nice and i can assume you are
an expert on this subject. Well with your permission allow me
to grab your feed to keep updated with forthcoming post.
Thanks a million and please carry on the gratifying work.